仕入ランク:A
1
/
の
1
IS66WVH8M8FALL-200B1LI
IS66WVH8M8FALL-200B1LI
価格はお問合せ
要確認
メーカー: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
データシート: データシートを表示
数量
技術: PSRAM(擬似SRAM)
認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~80°C(TA)
メモリ構成: 8M x 8
電圧 - 供給: 1.7V~2V
アクセス時間: 35 ns
メモリサイズ: 64Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 200 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: PSRAM
DigiKeyプログラマブル: -
メモリインターフェース: HyperBus
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 35ns
詳細を表示する
認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~80°C(TA)
メモリ構成: 8M x 8
電圧 - 供給: 1.7V~2V
アクセス時間: 35 ns
メモリサイズ: 64Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 200 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: PSRAM
DigiKeyプログラマブル: -
メモリインターフェース: HyperBus
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 35ns
