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IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR
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メーカー: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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数量
技術: PSRAM(擬似SRAM)
認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~85°C(TA)
メモリ構成: 8M x 8
電圧 - 供給: 2.7V~3.6V
アクセス時間: 40 ns
メモリサイズ: 64Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 100 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: PSRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 40ns
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認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~85°C(TA)
メモリ構成: 8M x 8
電圧 - 供給: 2.7V~3.6V
アクセス時間: 40 ns
メモリサイズ: 64Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 100 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: PSRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 40ns
