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IS66WVE4M16EBLL-70BLI-TR
IS66WVE4M16EBLL-70BLI-TR
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メーカー: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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数量
技術: PSRAM（擬似SRAM）
認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C～85°C（TA）
メモリ構成: 4M x 16
電圧 - 供給: 2.7V～3.6V
アクセス時間: 70 ns
メモリサイズ: 64Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: PSRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 70ns
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認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C～85°C（TA）
メモリ構成: 4M x 16
電圧 - 供給: 2.7V～3.6V
アクセス時間: 70 ns
メモリサイズ: 64Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: PSRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 70ns
