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IS66WV51216BLL-55BLI
IS66WV51216BLL-55BLI
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技術: PSRAM(擬似SRAM)
動作温度: -40°C~85°C(TA)
メモリ構成: 512K x 16
電圧 - 供給: 2.5V~3.6V
アクセス時間: 55 ns
メモリサイズ: 8Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: PSRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 55ns
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動作温度: -40°C~85°C(TA)
メモリ構成: 512K x 16
電圧 - 供給: 2.5V~3.6V
アクセス時間: 55 ns
メモリサイズ: 8Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: PSRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 55ns
