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IS64LF25636B-7.5B3LA3
IS64LF25636B-7.5B3LA3
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メーカー: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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数量
技術: SRAM - Standard
認定: AEC-Q100
グレード: 自動車
動作温度: -40°C～125°C（TA）
メモリ構成: 256K x 36
電圧 - 供給: 3.135V～3.465V
アクセス時間: 7.5 ns
メモリサイズ: 9Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 117 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: SRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
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認定: AEC-Q100
グレード: 自動車
動作温度: -40°C～125°C（TA）
メモリ構成: 256K x 36
電圧 - 供給: 3.135V～3.465V
アクセス時間: 7.5 ns
メモリサイズ: 9Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 117 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: SRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
