技術: SRAM - 同期、SDR
動作温度: -40°C～85°C（TA）
メモリ構成: 512K x 36
電圧 - 供給: 3.135V～3.465V
アクセス時間: 6.5 ns
メモリサイズ: 18Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 133 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: SRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -