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IS49NLS93200A-25EWBLI
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メーカー: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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数量
技術: RLDRAM 2
認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C～85°C（TA）
メモリ構成: 32M x 9
電圧 - 供給: 1.7V～1.9V
アクセス時間: 15 ns
メモリサイズ: 288Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 400 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: DRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: HSTL
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
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認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C～85°C（TA）
メモリ構成: 32M x 9
電圧 - 供給: 1.7V～1.9V
アクセス時間: 15 ns
メモリサイズ: 288Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 400 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: DRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: HSTL
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
