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IS43R32400E-4BL
IS43R32400E-4BL
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メーカー: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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数量
技術: SDRAM - DDR
動作温度: 0°C～70°C（TA）
メモリ構成: 4M x 32
電圧 - 供給: 2.4V～2.6V
アクセス時間: 700 ps
メモリサイズ: 128Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 250 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: DRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 16ns
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動作温度: 0°C～70°C（TA）
メモリ構成: 4M x 32
電圧 - 供給: 2.4V～2.6V
アクセス時間: 700 ps
メモリサイズ: 128Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 250 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: DRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 16ns
