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IS42S86400B-7TL-TR
IS42S86400B-7TL-TR
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技術: SDRAM
動作温度: 0°C~70°C(TA)
メモリ構成: 64M x 8
電圧 - 供給: 3V~3.6V
アクセス時間: 5.4 ns
メモリサイズ: 512Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 143 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: DRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
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動作温度: 0°C~70°C(TA)
メモリ構成: 64M x 8
電圧 - 供給: 3V~3.6V
アクセス時間: 5.4 ns
メモリサイズ: 512Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 143 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: DRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
