技術: DRAM - EDO
動作温度: -40°C～85°C（TA）
メモリ構成: 1M x 16
電圧 - 供給: 2.97V～3.63V
アクセス時間: 25 ns
メモリサイズ: 16Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: DRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 85ns