技術: FLASH - NAND（TLC）
認定: AEC-Q100
グレード: 自動車
動作温度: -40°C～105°C（TA）
メモリ構成: 128G x 8
電圧 - 供給: 2.25V～2.75V
アクセス時間: -
メモリサイズ: 1Tビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: 38.4 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: -
メモリインターフェース: UFS 3.1
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -