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IS25WP064-JBLE-TR
IS25WP064-JBLE-TR
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メーカー: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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技術: FLASH - NOR
動作温度: -40°C~105°C(TA)
メモリ構成: 8M x 8
電圧 - 供給: 1.65V~1.95V
アクセス時間: 7 ns
メモリサイズ: 64Mビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: 133 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: 検証済み
メモリインターフェース: SPI - クワッドI/O、QPI、DTR
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 800µs
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動作温度: -40°C~105°C(TA)
メモリ構成: 8M x 8
電圧 - 供給: 1.65V~1.95V
アクセス時間: 7 ns
メモリサイズ: 64Mビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: 133 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: 検証済み
メモリインターフェース: SPI - クワッドI/O、QPI、DTR
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 800µs
