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IS25WP040E-JYLA3-TR
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メーカー: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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数量
技術: FLASH - NOR(SLC)
認定: AEC-Q100
グレード: 自動車
動作温度: -40°C~125°C(TA)
メモリ構成: 512K x 8
電圧 - 供給: 1.7V~1.95V
アクセス時間: 8 ns
メモリサイズ: 4Mビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: 104 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: -
メモリインターフェース: SPI - クワッドI/O、QPI
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 40µs、1.2ms
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認定: AEC-Q100
グレード: 自動車
動作温度: -40°C~125°C(TA)
メモリ構成: 512K x 8
電圧 - 供給: 1.7V~1.95V
アクセス時間: 8 ns
メモリサイズ: 4Mビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: 104 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: -
メモリインターフェース: SPI - クワッドI/O、QPI
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 40µs、1.2ms
