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IS25WE512M-RMLE-TY
IS25WE512M-RMLE-TY
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メーカー: Nearson Inc.
数量
技術: FLASH - NOR
認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~105°C(TA)
メモリ構成: 64M x 8
電圧 - 供給: 1.7V~1.95V
アクセス時間: -
メモリサイズ: 512Mビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: 112 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: SPI - クワッドI/O、QPI、DTR
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 50µs、1ms
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認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~105°C(TA)
メモリ構成: 64M x 8
電圧 - 供給: 1.7V~1.95V
アクセス時間: -
メモリサイズ: 512Mビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: 112 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: SPI - クワッドI/O、QPI、DTR
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 50µs、1ms
