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IS25LQ080B-JBLE-TR
IS25LQ080B-JBLE-TR
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技術: FLASH - NOR
認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~105°C(TA)
メモリ構成: 1M x 8
電圧 - 供給: 2.3V~3.6V
アクセス時間: -
メモリサイズ: 8Mビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: 104 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: SPI - クワッドI/O
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 1ms
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認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~105°C(TA)
メモリ構成: 1M x 8
電圧 - 供給: 2.3V~3.6V
アクセス時間: -
メモリサイズ: 8Mビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: 104 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: SPI - クワッドI/O
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 1ms
