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IS22EF08G-JCLA2-TR
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メーカー: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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数量
技術: FLASH - NAND(MLC)
認定: AEC-Q100
グレード: 自動車
動作温度: -40°C~105°C(TA)
メモリ構成: 8G x 8
電圧 - 供給: 2.7V~3.6V
アクセス時間: -
メモリサイズ: 64Gビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: 200 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: -
メモリインターフェース: eMMC_5.1
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
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認定: AEC-Q100
グレード: 自動車
動作温度: -40°C~105°C(TA)
メモリ構成: 8G x 8
電圧 - 供給: 2.7V~3.6V
アクセス時間: -
メモリサイズ: 64Gビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: 200 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: -
メモリインターフェース: eMMC_5.1
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
