技術: MOSFET（金属酸化物）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: -40°C～150°C（TJ）
Vgs（最大）: ±12V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: 2.1W（Ta）、63W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 1.1V @ 100µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 0.75ミリオーム @ 50A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 20 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 38A（Ta）、211A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 158 nC @ 4.5 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 2.5V、4.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 8292 pF @ 10 V