技術: MOSFET（金属酸化物）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: -55°C～175°C（TJ）
Vgs（最大）: ±10V
取り付けタイプ: スルーホール
電力散逸（最大）: 43W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 540ミリオーム @ 3.4A、5V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 100 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 5.6A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 6.1 nC @ 5 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4V、5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 250 pF @ 25 V