技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: 2 Nチャンネル（デュアル）
FET機能: 論理レベルゲート
動作温度: -55°C～175°C（TJ）
電力 - 最大: 1.5W、2.4W
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.35V @ 25µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 15.5ミリオーム @ 8A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 8A、11A
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 8.6nC @ 4.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 766pF @ 15V