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IR1169SPBF
IR1169SPBF
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認定: -
グレード: -
動作温度: -25°C~125°C(TJ)
駆動構成: ローサイド
ドライバ数: 1
入力タイプ: 反転
電圧 - 供給: 11V~19V
ゲートタイプ: MOSFET(Nチャンネル)
取り付けタイプ: 面実装
チャンネルタイプ: シングル
論理電圧 - VIL、VIH: 2V、2.25V
DigiKeyプログラマブル: 未検証
立ち上がり/立ち下がり時間(標準): 20ns、10ns
電流 - ピーク出力(ソース/シンク): 1A、4A
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ): -
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グレード: -
動作温度: -25°C~125°C(TJ)
駆動構成: ローサイド
ドライバ数: 1
入力タイプ: 反転
電圧 - 供給: 11V~19V
ゲートタイプ: MOSFET(Nチャンネル)
取り付けタイプ: 面実装
チャンネルタイプ: シングル
論理電圧 - VIL、VIH: 2V、2.25V
DigiKeyプログラマブル: 未検証
立ち上がり/立ち下がり時間(標準): 20ns、10ns
電流 - ピーク出力(ソース/シンク): 1A、4A
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ): -
