技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: 2 Nチャンネル（デュアル）
認定: AEC-Q101
FET機能: 論理レベルゲート
グレード: 自動車
動作温度: -55°C～175°C（TJ）
電力 - 最大: 43W
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2V @ 14µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 65ミリオーム @ 15A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 55V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 20A
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 12nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 410pF @ 25V