仕入ランク:A
1
/
の
1
IMZ4T108
IMZ4T108
価格はお問合せ
要確認
メーカー: ROHM Semiconductor
データシート: データシートを表示
数量
認定: -
グレード: -
動作温度: 150°C(TJ)
電力 - 最大: 300mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: 1 NPN、1 PNP
Vce飽和(最大) @ lb、Ic: 600mV @ 50mA、500mA / 600mV @ 30mA、300mA
周波数 - トランジション: 250MHz、200MHz
電流 - コレクタ遮断(最大): 100nA(ICBO)
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 500mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 120 @ 100mA、3V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 32V
詳細を表示する
グレード: -
動作温度: 150°C(TJ)
電力 - 最大: 300mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: 1 NPN、1 PNP
Vce飽和(最大) @ lb、Ic: 600mV @ 50mA、500mA / 600mV @ 30mA、300mA
周波数 - トランジション: 250MHz、200MHz
電流 - コレクタ遮断(最大): 100nA(ICBO)
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 500mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 120 @ 100mA、3V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 32V
