技術: SiCFET（炭化ケイ素）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: -55°C～175°C（TJ）
Vgs（最大）: 15V、12V
取り付けタイプ: スルーホール
電力散逸（最大）: 70W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 5.7V @ 1.2mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 880ミリオーム @ 1A、15V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1700 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 5.4A（Tj）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 5.5 nC @ 12 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 12V、15V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 233 pF @ 1000 V