技術: SiCFET（炭化ケイ素）
構成: Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～175°C（TJ）
電力 - 最大: 234W（Tc）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 5.1V @ 4.1mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 53ミリオーム @ 13A、18V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1200V（1.2kV）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 45A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 28nC @ 0V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1010pF @ 800V