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IMH23T110
IMH23T110
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メーカー: ROHM Semiconductor
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数量
認定: -
グレード: -
電力 - 最大: 300mW
取り付けタイプ: 面実装
抵抗 - ベース(R1): 4.7キロオーム
トランジスタタイプ: 2 NPN - プリバイアス(デュアル)
Vce飽和(最大) @ lb、Ic: 150mV @ 2.5mA、50mA
周波数 - トランジション: 150MHz
抵抗 - エミッタベース(R2): -
電流 - コレクタ遮断(最大): -
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 600mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 820 @ 50mA、5V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 20V
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グレード: -
電力 - 最大: 300mW
取り付けタイプ: 面実装
抵抗 - ベース(R1): 4.7キロオーム
トランジスタタイプ: 2 NPN - プリバイアス(デュアル)
Vce飽和(最大) @ lb、Ic: 150mV @ 2.5mA、50mA
周波数 - トランジション: 150MHz
抵抗 - エミッタベース(R2): -
電流 - コレクタ遮断(最大): -
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 600mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 820 @ 50mA、5V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 20V
