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IMD10AT108
IMD10AT108
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メーカー: ROHM Semiconductor
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数量
認定: -
グレード: -
電力 - 最大: 300mW
取り付けタイプ: 面実装
抵抗 - ベース(R1): 10キロオーム、100オーム
トランジスタタイプ: 1 NPN、1 PNP - プリバイアス(デュアル)
Vce飽和(最大) @ lb、Ic: 300mV @ 1mA、10mA / 300mV @ 5mA、100mA
周波数 - トランジション: 250MHz、200MHz
抵抗 - エミッタベース(R2): 10キロオーム
電流 - コレクタ遮断(最大): 500nA
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 100mA、500mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 100 @ 1mA、5V / 68 @ 100mA、5V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 50V
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グレード: -
電力 - 最大: 300mW
取り付けタイプ: 面実装
抵抗 - ベース(R1): 10キロオーム、100オーム
トランジスタタイプ: 1 NPN、1 PNP - プリバイアス(デュアル)
Vce飽和(最大) @ lb、Ic: 300mV @ 1mA、10mA / 300mV @ 5mA、100mA
周波数 - トランジション: 250MHz、200MHz
抵抗 - エミッタベース(R2): 10キロオーム
電流 - コレクタ遮断(最大): 500nA
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 100mA、500mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 100 @ 1mA、5V / 68 @ 100mA、5V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 50V
