技術: SiCFET（炭化ケイ素）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: -55°C～175°C（TJ）
Vgs（最大）: +18V、-15V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: 300W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 5.7V @ 11.5mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 41ミリオーム @ 25A、18V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 56A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 63 nC @ 18 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: -
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 2290 pF @ 800 V