技術: GaNFET（窒化ガリウム）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: -40°C～150°C（TJ）
Vgs（最大）: -10V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: 55.5W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 1.6V @ 960µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: -
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 600 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 12.8A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: -
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 157 pF @ 400 V