技術: 窒化ガリウム（GaN）FET
特長: ブートストラップ回路
用途: DCモータ、DC-DCコンバータ
認定: -
グレード: -
出力構成: ハーフブリッジ（3）
動作温度: -40°C～150°C（TJ）
負荷タイプ: 静電容量性および抵抗性
電圧 - 供給: 10V～20V
電圧 - 負荷: 600V（最大）
Rds On（標準）: 270ミリオームLS、270ミリオームHS
フォールト保護: UVLO
取り付けタイプ: 面実装
インターフェース: PWM
電流 - ピーク出力: 700mA
電流 - 出力/チャンネル: 290mA