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IGI60L1111B1MXUMA1
IGI60L1111B1MXUMA1
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技術: NMOS
特長: ブートストラップ回路
用途: DCモータ、汎用
認定: -
グレード: -
出力構成: ハーフブリッジ
動作温度: -40°C~125°C(TJ)
負荷タイプ: 静電容量性および抵抗性
電圧 - 供給: 10V~20V
電圧 - 負荷: 600V(最大)
Rds On(標準): 100ミリオーム LS、100ミリオーム HS
フォールト保護: UVLO
取り付けタイプ: 面実装
インターフェース: PWM
電流 - ピーク出力: 30A
電流 - 出力/チャンネル: 7.4A
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特長: ブートストラップ回路
用途: DCモータ、汎用
認定: -
グレード: -
出力構成: ハーフブリッジ
動作温度: -40°C~125°C(TJ)
負荷タイプ: 静電容量性および抵抗性
電圧 - 供給: 10V~20V
電圧 - 負荷: 600V(最大)
Rds On(標準): 100ミリオーム LS、100ミリオーム HS
フォールト保護: UVLO
取り付けタイプ: 面実装
インターフェース: PWM
電流 - ピーク出力: 30A
電流 - 出力/チャンネル: 7.4A