技術: MOSFET（金属酸化物）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: -
Vgs（最大）: 10V
取り付けタイプ: スルーホール
電力散逸（最大）: 50W（Tj）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.4V @ 100µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 400ミリオーム @ 100mA、5V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 55 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: -
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 4.3 nC @ 5 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 290 pF @ 28 V