技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: NおよびPチャンネル
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 2W（Ta）、13W（Tc）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 4V @ 1mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 112ミリオーム @ 3.5A、10V、165ミリオーム @ 3A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 80V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 3.5A（Ta）、9A（Tc）、3A（Ta）、8.5A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 3.1nC @ 10V、17.2nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 90pF @ 40V、720pF @ 40V