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HSG1002VE-TL-E
HSG1002VE-TL-E
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メーカー: Renesas Electronics Corporation
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数量
認定: -
ゲイン: 8dB~19.5dB
グレード: -
動作温度: -
電力 - 最大: 200mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
周波数 - トランジション: 38GHz
雑音指数(fあたりの標準dB): 0.7dB~1.8dB @ 1.8GHz~5.8GHz
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 35mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 100 @ 5mA、2V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 3.5V
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ゲイン: 8dB~19.5dB
グレード: -
動作温度: -
電力 - 最大: 200mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
周波数 - トランジション: 38GHz
雑音指数(fあたりの標準dB): 0.7dB~1.8dB @ 1.8GHz~5.8GHz
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 35mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 100 @ 5mA、2V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 3.5V
