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HN4B102J(TE85L,F)
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メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
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数量
認定: -
グレード: -
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 750mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: 1 NPN、1 PNP
Vce飽和（最大） @ lb、Ic: 140mV @ 20mA、600mA / 200mV @ 20mA、600mA
周波数 - トランジション: -
電流 - コレクタ遮断（最大）: 100nA（ICBO）
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 1.8A、2A
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 200 @ 200mA、2V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 30V
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グレード: -
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 750mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: 1 NPN、1 PNP
Vce飽和（最大） @ lb、Ic: 140mV @ 20mA、600mA / 200mV @ 20mA、600mA
周波数 - トランジション: -
電流 - コレクタ遮断（最大）: 100nA（ICBO）
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 1.8A、2A
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 200 @ 200mA、2V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 30V
