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HN3C10FUTE85LF
HN3C10FUTE85LF
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認定: -
ゲイン: 11.5dB
グレード: -
動作温度: -
電力 - 最大: 200mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: 2 NPN(デュアル)
周波数 - トランジション: 7GHz
雑音指数(fあたりの標準dB): 1.1dB @ 1GHz
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 80mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 80 @ 20mA、10V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 12V
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ゲイン: 11.5dB
グレード: -
動作温度: -
電力 - 最大: 200mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: 2 NPN(デュアル)
周波数 - トランジション: 7GHz
雑音指数(fあたりの標準dB): 1.1dB @ 1GHz
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 80mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 80 @ 20mA、10V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 12V
