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HGTP12N60C3
HGTP12N60C3
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メーカー: ONSEMI
数量
動作温度: -40°C~150°C(TJ)
IGBTタイプ: -
ゲート充電: 48 nC
テスト条件: -
入力タイプ: 標準
電力 - 最大: 104 W
取り付けタイプ: スルーホール
逆回復時間(trr): -
25°CでのTd(オン/オフ): -
スイッチングエネルギー: 380µJ(電源投入時)、900µJ(電源切断時)
Vce(on)(最大) @ Vge、Ic: 2V @ 15V、12A
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 24 A
電流 - パルス形コレクタ(Icm): 96 A
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 600 V
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IGBTタイプ: -
ゲート充電: 48 nC
テスト条件: -
入力タイプ: 標準
電力 - 最大: 104 W
取り付けタイプ: スルーホール
逆回復時間(trr): -
25°CでのTd(オン/オフ): -
スイッチングエネルギー: 380µJ(電源投入時)、900µJ(電源切断時)
Vce(on)(最大) @ Vge、Ic: 2V @ 15V、12A
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 24 A
電流 - パルス形コレクタ(Icm): 96 A
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 600 V
