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HGT1S7N60C3DS9A
HGT1S7N60C3DS9A
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メーカー: ONSEMI
数量
動作温度: -
IGBTタイプ: -
ゲート充電: 23 nC
テスト条件: 480V、7A、50オーム、15V
入力タイプ: 標準
電力 - 最大: 60 W
取り付けタイプ: 面実装
逆回復時間(trr): 37 ns
25°CでのTd(オン/オフ): -
スイッチングエネルギー: 165µJ(電源投入時)、600µJ(電源切断時)
Vce(on)(最大) @ Vge、Ic: 2V @ 15V、7A
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 14 A
電流 - パルス形コレクタ(Icm): 56 A
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 600 V
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IGBTタイプ: -
ゲート充電: 23 nC
テスト条件: 480V、7A、50オーム、15V
入力タイプ: 標準
電力 - 最大: 60 W
取り付けタイプ: 面実装
逆回復時間(trr): 37 ns
25°CでのTd(オン/オフ): -
スイッチングエネルギー: 165µJ(電源投入時)、600µJ(電源切断時)
Vce(on)(最大) @ Vge、Ic: 2V @ 15V、7A
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 14 A
電流 - パルス形コレクタ(Icm): 56 A
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 600 V
