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HGT1S7N60A4DS
HGT1S7N60A4DS
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メーカー: ONSEMI
数量
動作温度: -55°C~150°C(TJ)
IGBTタイプ: -
ゲート充電: 37 nC
テスト条件: 390V、7A、25オーム、15V
入力タイプ: 標準
電力 - 最大: 125 W
取り付けタイプ: 面実装
逆回復時間(trr): 34 ns
25°CでのTd(オン/オフ): 11ns/100ns
スイッチングエネルギー: 55µJ(電源投入時)、60µJ(電源切断時)
Vce(on)(最大) @ Vge、Ic: 2.7V @ 15V、7A
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 34 A
電流 - パルス形コレクタ(Icm): 56 A
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 600 V
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IGBTタイプ: -
ゲート充電: 37 nC
テスト条件: 390V、7A、25オーム、15V
入力タイプ: 標準
電力 - 最大: 125 W
取り付けタイプ: 面実装
逆回復時間(trr): 34 ns
25°CでのTd(オン/オフ): 11ns/100ns
スイッチングエネルギー: 55µJ(電源投入時)、60µJ(電源切断時)
Vce(on)(最大) @ Vge、Ic: 2.7V @ 15V、7A
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 34 A
電流 - パルス形コレクタ(Icm): 56 A
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 600 V
