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HGT1S20N36G3VLS
HGT1S20N36G3VLS
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メーカー: Fairchild Semiconductor
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認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~175°C(TJ)
IGBTタイプ: -
ゲート充電: 28.7 nC
テスト条件: 300V、10A、25オーム、5V
入力タイプ: 論理
電力 - 最大: 150 W
取り付けタイプ: 面実装
逆回復時間(trr): -
25°CでのTd(オン/オフ): -/15µs
スイッチングエネルギー: -
Vce(on)(最大) @ Vge、Ic: 1.9V @ 5V、20A
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 37.7 A
電流 - パルス形コレクタ(Icm): -
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 415 V
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グレード: -
動作温度: -40°C~175°C(TJ)
IGBTタイプ: -
ゲート充電: 28.7 nC
テスト条件: 300V、10A、25オーム、5V
入力タイプ: 論理
電力 - 最大: 150 W
取り付けタイプ: 面実装
逆回復時間(trr): -
25°CでのTd(オン/オフ): -/15µs
スイッチングエネルギー: -
Vce(on)(最大) @ Vge、Ic: 1.9V @ 5V、20A
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 37.7 A
電流 - パルス形コレクタ(Icm): -
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 415 V
