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HGT1S12N60C3DS
HGT1S12N60C3DS
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メーカー: Fairchild Semiconductor
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数量
認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C～150°C（TJ）
IGBTタイプ: -
ゲート充電: 71 nC
テスト条件: -
入力タイプ: 標準
電力 - 最大: 104 W
取り付けタイプ: 面実装
逆回復時間（trr）: 32 ns
25°CでのTd（オン/オフ）: -
スイッチングエネルギー: -
Vce（on）（最大） @ Vge、Ic: 2.2V @ 15V、15A
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 24 A
電流 - パルス形コレクタ（Icm）: 96 A
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 600 V
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グレード: -
動作温度: -40°C～150°C（TJ）
IGBTタイプ: -
ゲート充電: 71 nC
テスト条件: -
入力タイプ: 標準
電力 - 最大: 104 W
取り付けタイプ: 面実装
逆回復時間（trr）: 32 ns
25°CでのTd（オン/オフ）: -
スイッチングエネルギー: -
Vce（on）（最大） @ Vge、Ic: 2.2V @ 15V、15A
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 24 A
電流 - パルス形コレクタ（Icm）: 96 A
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 600 V
