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GT50N322A
GT50N322A
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メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
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数量
認定: -
グレード: -
動作温度: 150°C（TJ）
IGBTタイプ: -
ゲート充電: -
テスト条件: -
入力タイプ: 標準
電力 - 最大: 156 W
取り付けタイプ: スルーホール
逆回復時間（trr）: 800 ns
25°CでのTd（オン/オフ）: -
スイッチングエネルギー: -
Vce（on）（最大） @ Vge、Ic: 2.8V @ 15V、60A
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 50 A
電流 - パルス形コレクタ（Icm）: 120 A
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 1000 V
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グレード: -
動作温度: 150°C（TJ）
IGBTタイプ: -
ゲート充電: -
テスト条件: -
入力タイプ: 標準
電力 - 最大: 156 W
取り付けタイプ: スルーホール
逆回復時間（trr）: 800 ns
25°CでのTd（オン/オフ）: -
スイッチングエネルギー: -
Vce（on）（最大） @ Vge、Ic: 2.8V @ 15V、60A
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 50 A
電流 - パルス形コレクタ（Icm）: 120 A
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 1000 V
