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GT30N135SRA,S1E
GT30N135SRA,S1E
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メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
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認定: -
グレード: -
動作温度: 175°C（TJ）
IGBTタイプ: -
ゲート充電: 270 nC
テスト条件: 300V、60A、39オーム、15V
入力タイプ: 標準
電力 - 最大: 348 W
取り付けタイプ: スルーホール
逆回復時間（trr）: -
25°CでのTd（オン/オフ）: -
スイッチングエネルギー: -、1.3mJ（オフ）
Vce（on）（最大） @ Vge、Ic: 2.6V @ 15V、60A
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 60 A
電流 - パルス形コレクタ（Icm）: 120 A
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 1350 V
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グレード: -
動作温度: 175°C（TJ）
IGBTタイプ: -
ゲート充電: 270 nC
テスト条件: 300V、60A、39オーム、15V
入力タイプ: 標準
電力 - 最大: 348 W
取り付けタイプ: スルーホール
逆回復時間（trr）: -
25°CでのTd（オン/オフ）: -
スイッチングエネルギー: -、1.3mJ（オフ）
Vce（on）（最大） @ Vge、Ic: 2.6V @ 15V、60A
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 60 A
電流 - パルス形コレクタ（Icm）: 120 A
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 1350 V
