仕入ランク:A
1
/
の
1
GT30J341,Q
GT30J341,Q
価格はお問合せ
要確認
メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
データシート: データシートを表示
数量
認定: -
グレード: -
動作温度: 175°C（TJ）
IGBTタイプ: -
ゲート充電: -
テスト条件: 300V、30A、24オーム、15V
入力タイプ: 標準
電力 - 最大: 230 W
取り付けタイプ: スルーホール
逆回復時間（trr）: 50 ns
25°CでのTd（オン/オフ）: 80ns/280ns
スイッチングエネルギー: 800µJ（電源投入時）、600µJ（電源切断時）
Vce（on）（最大） @ Vge、Ic: 2V @ 15V、30A
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 59 A
電流 - パルス形コレクタ（Icm）: 120 A
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 600 V
詳細を表示する
グレード: -
動作温度: 175°C（TJ）
IGBTタイプ: -
ゲート充電: -
テスト条件: 300V、30A、24オーム、15V
入力タイプ: 標準
電力 - 最大: 230 W
取り付けタイプ: スルーホール
逆回復時間（trr）: 50 ns
25°CでのTd（オン/オフ）: 80ns/280ns
スイッチングエネルギー: 800µJ（電源投入時）、600µJ（電源切断時）
Vce（on）（最大） @ Vge、Ic: 2V @ 15V、30A
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 59 A
電流 - パルス形コレクタ（Icm）: 120 A
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 600 V
