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GT28F800B3B110
GT28F800B3B110
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技術: FLASH - ブートブロック
認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~85°C(TA)
メモリ構成: 512K x 16
電圧 - 供給: 2.7V~3.6V
アクセス時間: 110 ns
メモリサイズ: 8Mビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: CUI
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
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認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~85°C(TA)
メモリ構成: 512K x 16
電圧 - 供給: 2.7V~3.6V
アクセス時間: 110 ns
メモリサイズ: 8Mビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: CUI
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
