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GSM3Z5V6BW
GSM3Z5V6BW
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メーカー: Good-Ark Semiconductor
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認定: -
グレード: -
動作温度: -65°C～150°C（TJ）
許容誤差: ±2%
電力 - 最大: 200 mW
取り付けタイプ: 面実装
電流 - Vr印加時の逆方向漏れ: 900 nA @ 2 V
電圧 - ツェナー（公称）（Vz）: 5.6 V
インピーダンス（最大）（Zzt）: 40 Ohms
電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）: 1 V @ 10 mA
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グレード: -
動作温度: -65°C～150°C（TJ）
許容誤差: ±2%
電力 - 最大: 200 mW
取り付けタイプ: 面実装
電流 - Vr印加時の逆方向漏れ: 900 nA @ 2 V
電圧 - ツェナー（公称）（Vz）: 5.6 V
インピーダンス（最大）（Zzt）: 40 Ohms
電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）: 1 V @ 10 mA
