技術: MOSFET（金属酸化物）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
Vgs（最大）: ±30V
取り付けタイプ: スルーホール
電力散逸（最大）: 32W（Tj）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 3.9V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 750ミリオーム @ 3A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 900 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 6A（Tj）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 18.4 nC @ 10 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1250 pF @ 50 V