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GSFQ1916
GSFQ1916
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メーカー: Good-Ark Semiconductor
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数量
技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: NおよびPチャンネル
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 2.3W（Tc）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.9V @ 250µA、2.7V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 160ミリオーム @ 2A、10V、180ミリオーム @ 2A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 3A（Tc）、2.2A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 13.4nC @ 10V、20nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 821pF @ 50V、1280pF @ 50V
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構成: NおよびPチャンネル
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 2.3W（Tc）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.9V @ 250µA、2.7V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 160ミリオーム @ 2A、10V、180ミリオーム @ 2A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 3A（Tc）、2.2A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 13.4nC @ 10V、20nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 821pF @ 50V、1280pF @ 50V
