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GSBAT41M
GSBAT41M
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メーカー: Good-Ark Semiconductor
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数量
技術: ショットキー
認定: -
速度: 小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード
グレード: -
取り付けタイプ: 面実装
逆回復時間（trr）: -
電流 - 平均整流（Io）: 200mA
Vr、F印加時の静電容量: 10pF @ 1V、1MHz
動作温度 - ジャンクション: 125°C
電流 - Vr印加時の逆方向漏れ: 1 µA @ 50 V
電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）: 80 V
電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）: 1 V @ 200 mA
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認定: -
速度: 小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード
グレード: -
取り付けタイプ: 面実装
逆回復時間（trr）: -
電流 - 平均整流（Io）: 200mA
Vr、F印加時の静電容量: 10pF @ 1V、1MHz
動作温度 - ジャンクション: 125°C
電流 - Vr印加時の逆方向漏れ: 1 µA @ 50 V
電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）: 80 V
電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）: 1 V @ 200 mA
