技術: シリコンカーバイド（SiC）
構成: 6Nチャンネル（3相ブリッジ）
認定: AEC-Q101
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～175°C（TJ）
電力 - 最大: 1250W
取り付けタイプ: シャーシマウント
Id印加時のVgs（th）（最大）: 4.5V @ 160mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 4.45ミリオーム @ 425A、20V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1700V（1.7kV）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 425A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 1207nC @ 18V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 29100pF @ 900V