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GD5F4GQ6REYIGR
GD5F4GQ6REYIGR
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メーカー: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
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数量
技術: FLASH - NAND（SLC）
認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C～85°C（TA）
メモリ構成: 512M x 8
電圧 - 供給: 1.7V～2V
アクセス時間: 11 ns
メモリサイズ: 4Gビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: 80 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: -
メモリインターフェース: SPI - クワッドI/O
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 600µs
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認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C～85°C（TA）
メモリ構成: 512M x 8
電圧 - 供給: 1.7V～2V
アクセス時間: 11 ns
メモリサイズ: 4Gビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: 80 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: -
メモリインターフェース: SPI - クワッドI/O
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 600µs
